三星官方宣布：全球首款3nmgaa工艺量产
三星宣布其在韩国的华成工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术。三星还通过采用下一代新型砷化镓（gateall-around）结构晶体管技术，成为全球唯一一家提供3nm工艺铸造服务的OEM企业。
三星3nmgaa工艺最初主要针对高性能计算（HPC）系统芯片，然后将扩展到移动SOC。三星表示，与使用FinFET的原5nm工艺相比，第一代3nmgaa工艺节点的功耗、性能和面积（PPA）都有不同程度的提高，面积减少了16%，性能提高了23%，功耗减少了45%。在第二代3nm芯片中，面积减少了35%，性能提高了30%，功耗降低了50%。
这是三星首次实现GAA“多桥沟道场效应晶体管（mbcfet）”的应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平提高了能耗率，通过增加驱动电流提高了芯片性能。三星电子OEM业务部总经理崔世荣表示，他希望通过率先采用新工艺，继续保持在半导体行业的领先地位。与此同时，他将积极创新并建立一个有助于加速技术成熟的过程。
自2021第三季度以来，三星电子通过与三星先进晶圆铸造生态系统安全（SamsungAdvancedFoundryEconomics）合作伙伴（包括ANSYS、凯登电子、西门子和鑫思科技）的密切合作，提供了成熟的设计基础设施，以便在较短的时间内改进其产品。
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