三星官方宣布:全球首款3nmgaa工艺量产

三星官方宣布:全球首款3nmgaa工艺量产

三星官方宣布:全球首款3nmgaa工艺量产

三星宣布其在韩国的华成工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术。三星还通过采用下一代新型砷化镓(gateall-around)结构晶体管技术,成为全球唯一一家提供3nm工艺铸造服务的OEM企业。

三星3nmgaa工艺最初主要针对高性能计算(HPC)系统芯片,然后将扩展到移动SOC。三星表示,与使用FinFET的原5nm工艺相比,第一代3nmgaa工艺节点的功耗、性能和面积(PPA)都有不同程度的提高,面积减少了16%,性能提高了23%,功耗减少了45%。在第二代3nm芯片中,面积减少了35%,性能提高了30%,功耗降低了50%。

这是三星首次实现GAA“多桥沟道场效应晶体管(mbcfet)”的应用,打破了FinFET原有的性能限制,通过降低工作电压水平提高了能耗率,通过增加驱动电流提高了芯片性能。三星电子OEM业务部总经理崔世荣表示,他希望通过率先采用新工艺,继续保持在半导体行业的领先地位。与此同时,他将积极创新并建立一个有助于加速技术成熟的过程。

自2021第三季度以来,三星电子通过与三星先进晶圆铸造生态系统安全(SamsungAdvancedFoundryEconomics)合作伙伴(包括ANSYS、凯登电子、西门子和鑫思科技)的密切合作,提供了成熟的设计基础设施,以便在较短的时间内改进其产品。

 

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